SD карта 256GB, серия 3TE4 (3D TLC), −40…+85°C, Объем: 256 GB, Рабочая температура: -40…+85°C  – ТА
SD карта 256GB, серия 3TE4 (3D TLC), −40…+85°C
Цена по запросу

SD карта 256GB, серия 3TE4 (3D TLC), −40…+85°C

DESDC-B56S06KW1SL
Карта памяти Industrial SD Card 256GB, серия 3TE4 (3D TLC 112L), SDHC Class 10 / UHS III, −40…+85°C
Спеццена
По запросу доступна специальная цена!
Наши преимущества
Как заказать и оплатить
Доставка
  • Все о товаре
  • Описание
  • Характеристики
  • Отзывы
Описание

Флэш-карта памяти Innodisk SD 3TE4 предназначена для сложных промышленных приложений и обеспечивает отличную производительность. Кроме того, она поддерживает режим передачи данных Ultra High Speed (UHS), обеспечивает высокую скорость записи/чтения данных, высокий показатель случайных операций ввода-вывода в секунду, защиту от внезапного отключения питания, адаптивное статическое выравнивание износа, управление помехами при чтении/программировании и др.

Флэш-карта 3TE4 построена на современных чипах NAND 3D TLC 112L и имеет емкость 64 ГБ. Температурный диапазон при работе: −40…+85°C.

Карта памяти 3TE4 совместима с интерфейсом SD 6.1/ SD 3.0/ SD 2.0/ SD 1.1 и соответствует спецификациям:

  • PHYSICAL LAYER SPECIFICATION Ver.6.01 или Ver.3.0. (Part1)
  • Card ADDENDUM SPECIFICATION Ver.2.00. (Part1)
  • FILE SYSTEM SPECIFICATION Ver.3.00. (Part2)
  • SECURITY SPECIFICATION Ver.3.00. (Part3)

Характеристики флэш-карты DESDC-B56S06KW1SL

Бренд (изготовитель)
Тип
  • флэш-диск
Серия
Производительность
Класс SDHC
10
Класс UHS
UHS I
Последовательный доступ, R/W
90 / 80 MB/s
Случайный доступ, R/W
2'000 / 800 IOPS
Каналов ввода-вывода
1
Питание
Напряжение питания
+2.7…3.6 VDC
Потребляемая мощность
0.0009 / 0.5 / 0.7 / 1.3 Вт (Idle/Read/Write/Peak)
Конструктивное исполнение
Форм-фактор
Габаритные размеры
24 × 32 × 2.1 мм
Общее
Интерфейс
  • SD 3.0
Объем
256 GB
Тип флэш-памяти
3D TLC BiCS5 (112L)
Чипы флэш-памяти
Innodisk BiCS5
Условия эксплуатации
Рабочая температура
-40…+85°C
Температура хранения
-40…+85°C
Вибростойкость
20 G (7…2000 Гц)
Ударостойкость
1500 G (0.5 мс)
Надежность
Ресурс флэш-памяти
3000 циклов перезаписи
Ресурс записи в TBW
681.81 TB (Sequential)
MTBF
> 3 000 000 часов
Срок гарантии
3 года

Отзывы о продукте

Отзывы не найдены