Технология флэш-памяти ULTRA iSLC от Innodisk: 100 000 циклов перезаписи на ячейку
Развитие технологий 5G открывает новые возможности сетевого взаимодействия наряду с возникающими трудностями в части хранения данных. Чтобы удовлетворять самым строгим требованиям к устройствам, используемых в реализации концепции Интернета вещей, в том числе в операциях периферийных вычислений ИИ, обрабатывающих большое количество данных, Innodisk представляет новую технологию - Ultra iSLC.
Благодаря усовершенствованию встроенной прошивки, технология Ultra iSLC на базе 112-слойной флэш-памяти 3D NAND TLC пятого поколения (BiCS5) устанавливает новый промышленный стандарт ресурса твердотельного накопителя: до 100 000 циклов стирания/записи на ячейку, что в 33 раза выше по сравнению с традиционной флэш-памятью типа 3D TLC.
Технология Ultra iSLC от Innodisk позволяет использовать физическую память типа TLC (Triple-Level Cell) более длительное время. Путем уменьшения размера каждой ячейки NAND до 1 бита, т.е. эмуляции ячейки типа SLC (Single-Level Cell) повышается уровень сохранности данных и долговечность накопителя. Значение до 100 000 циклов перезаписи для одной ячейки достигается программным образом. Такое значение сравнимо только с показателями традиционной и самой надежной флэш-памяти типа SLC с одноуровневыми ячейками.
| Тип NAND | Количество циклов P/E |
|---|---|
| MLC, 3D TLC | 3 000 |
| iSLC на базе MLC | 20 000 |
| iSLC на базе 3D TLC | 30 000 |
| SLC | 60 000 |
| Ultra iSLC | 100 000 |
Преимущества накопителей на базе Ultra iSLC
Ultra iSLC технология не только достигает стандартов SLC по надежности, производительности и долговечности, но также предлагает заказчикам существенно более экономичное решение.
| СЕРИИ НАКОПИТЕЛЕЙ ULTRA iSLC |
 |
 |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|---|
| Серия | 3IE7 | 3IE6-P | 4IE3 | 4IG2-P | |
| Интерфейс | SATA III 6.0 GB/s | SATA III 6.0 GB/s | PCIe Gen4 x4 | PCIe Gen4 x4 | |
| Формат | 2.5" SSD, M.2 2280, M.2 2242, mSATA, CFast, SATADOM | 2.5" SSD, M.2 2280 | M.2 2280, M.2 2242, CFexpress | U.2, M.2 2280, M.2 22110 | |
| Ёмкость | 20 GB … 640 GB | 160 GB … 1.28 TB | 40 GB … 640 GB | 160 GB … 1.28 TB | |
| Встроенный буфер ОЗУ | нет | да | нет | да | |
| S.M.A.R.T. | да | да | да | да | |
| Гарантия | 5 лет | 5 лет | 5 лет | 5 лет | |
| DWPD | 34.2 | 53.4 | 34.6 | 31.4 | |
| Рабочая температура | 0 … +70°C / −40 … +85°C | ||||
| Особенности | iCell*, TCG Opal*, Управление температурным режимом, Шифрование данных* | ||||
| Макс. энергопотребление |
3.3 Вт | 3.0 Вт | 4.7 Вт | 10.2 Вт | |
| Скорость чтения/записи (MB/s, max) |
550 / 520 | 510 / 500 | 3550 / 3400 | 7100 / 5200 | |
* Опционально