SSD накопитель 2TB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TE3 (Kioxia TLC BiCS5), iCell, 0…+70°C, AES, Объем: 2 TB, Резервирование питания: iCell, Криптография: AES 256 + TCG OPAL 2.0, Модификация: двухсторонний, Рабочая температура: 0…+70°C, Чипы флэш-памяти: Kioxia BiCS5  – ТА
SSD накопитель 2TB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TE3 (Kioxia TLC BiCS5), iCell, 0…+70°C, AES
Цена по запросу

SSD накопитель 2TB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TE3 (Kioxia TLC BiCS5), iCell, 0…+70°C, AES

DEM28-02TDH2KCBQFP
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), 2TB, серия 4TE3 (Kioxia 3D TLC BiCS5), AES 256 + TCG OPAL, M Key, iCell, 0…+70°С
Спеццена
По запросу доступна специальная цена!
Наши преимущества
Как заказать и оплатить
Доставка
  • Все о товаре
  • Описание
  • Характеристики
  • Публикации
  • Отзывы
Описание
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), 2TB, серия 4TE3 (Kioxia 3D TLC BiCS5), AES 256 + TCG OPAL, M Key, iCell, 0…+70°С

Характеристики SSD накопителя DEM28-02TDH2KCBQFP

Бренд (изготовитель)
Тип
  • флэш-диск
Серия
Применение
  • высоконагруженные приложения 5G и AIoT
  • общепромышленные приложения
Производительность
Буфер DRAM
нет
Последовательный доступ, R/W
3700 / 3300 MB/s
Средняя устоявшаяся скорость, R/W
2300 / 1250 MB/s
Случайный доступ, R/W
951'000 / 862'000 IOPS
SLC-кэш
61.44 GB (3%)
Каналов ввода-вывода
4
Питание
Напряжение питания
3.3 VDC ±5%
Потребляемая мощность
1.0 / 4.6 / 4.5 / 3.8 Вт (idle/чтение/запись/пик)
Резервирование питания
iCell
Сервисные функции
Криптография
AES 256 + TCG OPAL 2.0
Защита от записи
DIP-переключатель (опция)
Конструктивное исполнение
Форм-фактор
Шина
  • PCIe 4.0 x4
Ключи M.2
  • M Key
Модификация
двухсторонний
Габаритные размеры
22 × 80 × 3.5 мм
Общее
Интерфейс
  • NVMe 1.4
Объем
2 TB
Полезный объем
1'831'420 MB
Тип флэш-памяти
3D TLC BiCS5 (112L)
Чипы флэш-памяти
Kioxia BiCS5
Условия эксплуатации
Рабочая температура
0…+70°C
Температура хранения
-40…+85°C
Вибростойкость
20 G (7…2000 Гц)
Ударостойкость
1500 G (0.5 мс)
Надежность
Ресурс флэш-памяти
3000 циклов перезаписи
Срок хранения данных
10 лет (в начале ресурса) − 1 год (в конце ресурса)
Ресурс записи в TBW
5'454 / 1'621 TB (Sequential/Client)
Выносливость в DWPD
0.84 раз/сутки
MTBF
> 3 000 000 часов
Срок гарантии
3 года

Публикации о товаре DEM28-02TDH2KCBQFP

Развитие технологии 3D NAND происходит очень быстро. Уже выпущено третье поколение этой технологии — 112-слойные чипы от известных производителей, таких как Samsung, Micron, Kioxia и Toshiba.

Отзывы о продукте

Отзывы не найдены