Флэш-диск M.2 (P80) PCIe 3x2, 256GB, серия 3TE4 (Kioxia TLC BiCS5), −40…+85°С, Объем: 256 GB, Интерфейс: PCIe 3.0 x2, Криптография: −, Рабочая температура: -40…+85°C, Чипы флэш-памяти: Kioxia BiCS5  – ТА
Флэш-диск M.2 (P80) PCIe 3x2, 256GB, серия 3TE4 (Kioxia TLC BiCS5), −40…+85°С
Цена по запросу

Флэш-диск M.2 (P80) PCIe 3x2, 256GB, серия 3TE4 (Kioxia TLC BiCS5), −40…+85°С

DEM28-B56IB1KWCQF
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 3.0 x2 (NVMe 1.3), 256GB, серия 3TE4 (Kioxia 3D TLC BiCS5), B+M Key, −40…+85°С
Спеццена
По запросу доступна специальная цена!
Наши преимущества
Как заказать и оплатить
Доставка
  • Все о товаре
  • Описание
  • Характеристики
  • Публикации
  • Отзывы
Описание

Innodisk M.2 (P80) серии 3TE4 — это твердотельный накопитель NVMe 1.3 с интерфейсом PCIe 3.0 x2 на базе промышленной флэш-памяти 3D TLC NAND без буфера DRAM.

Благодаря сложным алгоритмам обнаружения и коррекции ошибок (ECC), флэш-диск обеспечивает полную защиту целостности данных на всем пути их прохождения внутри накопителя, что в целом гарантирует безопасность передачи данных между хост-системой и микросхемой NAND Flash. Диск также содержит в себе фирменные технологии Innodisk, касающиеся надежности, устойчивости к перепадам температур и перегреву, сбоям питания, импульсным электромагнитным помехам, выравнивания износа и в целом снижения вероятности появления дефектных блоков.

С учетом высоких показателей последовательного и случайного доступа к данным, флэш-диск M.2 (P80) серии 3TE4 является отличным выбором накопителя для промышленных и встраиваемых систем высокой производительности и надежности.

Отличительные особенности:

  • NAND-контроллер с эксклюзивной архитектурой прошивки Innodisk: сочетание уникального 4K алгоритма сопоставления сигнатур (Long Life) с мощной технологией коррекции ошибок LDPC (Low Density Parity Check)
  • Флэш-чипы Kioxia 3D TLC BiCS5 (112 L)
  • Интерфейс PCI Express Gen.3.0 x2 2 ГБайт/с
  • Отсутствие DRAM кэш-буфера снижает риск разрушения данных, при этом достигаются отличные показатели надежности и сохранности данных, а также снижение энергопотребления
  • Адаптивный гибридный режим записи с использованием SLC-кэширования до 3% от общей пользовательской емкости совместно с прямой записью в память TLC для достижения баланса между пиковой производительностю и стабильностью в устоявшемся режиме
  • Сквозная система защиты данных (ETEP) с коррекцией ошибок ECC в каждой точке их прохождения внутри накопителя
  • Технологии iPowerGuard и iDataGuard для защиты от нестабильного питания накопителя или его внезапного отключения и обеспечения целостности данных при сбоях питания
  • Встроенный температурный датчик и динамическое управление поведением накопителя для предотвращения перегрева, повышения стабильности и производительности системы
  • Выносливость накопителя в DWPD1.35 перезаписей всего объема в сутки в течение гарантийного срока
  • Расширенный рабочий температурный диапазлон −40…+85°С
  • Мониторинг состояния диска iSmart: утилиты под Windows и Linux, библиотеки с примерами кода на VC

Характеристики SSD накопителя DEM28-B56IB1KWCQF

Бренд (изготовитель)
Тип
  • флэш-диск
Серия
Производительность
Буфер DRAM
нет
Последовательный доступ, R/W
1750 / 1100 MB/s
Средняя устоявшаяся скорость, R/W
1400 / 370 MB/s
Случайный доступ, R/W
123'000 / 196'000 IOPS
SLC-кэш
8 GB (3%)
Каналов ввода-вывода
4
Питание
Напряжение питания
3.3 VDC ±5%
Потребляемая мощность
0.5 / 3.1 / 3.4 / 4.0 Вт (idle/чтение/запись/пик)
Резервирование питания
нет
Сервисные функции
Криптография
Конструктивное исполнение
Форм-фактор
Шина
  • PCIe 3.0 x2
Ключи M.2
  • B+M Key
Модификация
двухсторонний
Габаритные размеры
22 × 80 × 3.5 мм
Общее
Интерфейс
  • NVMe 1.3
Объем
256 GB
Полезный объем
228'937 MB
Тип флэш-памяти
3D TLC BiCS5 (112L)
Чипы флэш-памяти
Kioxia BiCS5
Условия эксплуатации
Рабочая температура
-40…+85°C
Температура хранения
-40…+85°C
Вибростойкость
20 G (7…2000 Гц)
Ударостойкость
1500 G (0.5 мс)
Надежность
Ресурс флэш-памяти
3000 циклов перезаписи
Срок хранения данных
10 лет (в начале ресурса) − 1 год (в конце ресурса)
Ресурс записи в TBW
325 TB (Client)
Выносливость в DWPD
1.35 раз/сутки
MTBF
> 3 000 000 часов
Срок гарантии
3 года

Публикации о товаре DEM28-B56IB1KWCQF

Развитие технологии 3D NAND происходит очень быстро. Уже выпущено третье поколение этой технологии — 112-слойные чипы от известных производителей, таких как Samsung, Micron, Kioxia и Toshiba.

Отзывы о продукте

Отзывы не найдены