U.2 SSD-диск 8TB серии 4TG2-P, PCIe 4x4 (TLC BiCS5), iCell, 0…+70°С, Объем: 8 TB, Резервирование питания: iCell, Криптография: −, Рабочая температура: 0…+70°C, Каналов ввода-вывода: 8  – ТА
U.2 SSD-диск 8TB серии 4TG2-P, PCIe 4x4 (TLC BiCS5), iCell, 0…+70°С
Цена по запросу

U.2 SSD-диск 8TB серии 4TG2-P, PCIe 4x4 (TLC BiCS5), iCell, 0…+70°С

DGEU2-08TDP1KCBEFP
Твердотельный накопитель U.2 SSD 2.5", 8TB, PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), серия 4TG2-P (Kioxia 3D TLC BiCS5 + DRAM buffer), iCell, 0…+70°С
Спеццена
По запросу доступна специальная цена!
Наши преимущества
Как заказать и оплатить
Доставка
  • Все о товаре
  • Описание
  • Характеристики
  • Публикации
  • Отзывы
Описание
Твердотельный накопитель U.2 SSD 2.5", 8TB, PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), серия 4TG2-P (Kioxia 3D TLC BiCS5 + DRAM buffer), iCell, 0…+70°С

Характеристики SSD накопителя DGEU2-08TDP1KCBEFP

Бренд (изготовитель)
Тип
  • флэш-диск
Серия
Применение
  • высоконагруженные приложения 5G и AIoT
Производительность
Буфер DRAM
есть
Последовательный доступ, R/W
6400 / 4800 MB/s
Средняя устоявшаяся скорость, R/W
2050 / 1450 MB/s
Случайный доступ, R/W
819'000 / 712'000 IOPS
SLC-кэш
163.84 GB (2%)
Каналов ввода-вывода
8
Питание
Напряжение питания
12 VDC ±5%
Потребляемая мощность
2.7 / 9.0 / 11.3 / 21.2 Вт (idle/чтение/запись/пик)
Резервирование питания
iCell
Сервисные функции
Криптография
Конструктивное исполнение
Форм-фактор
U.2
Шина
  • PCIe 4.0 x4
Габаритные размеры
70 × 100 × 6.9 мм
Общее
Интерфейс
  • NVMe 1.4
Объем
8 TB
Полезный объем
7'325'650 MB
Тип флэш-памяти
3D TLC BiCS5 (112L)
Чипы флэш-памяти
Kioxia BiCS5
Условия эксплуатации
Рабочая температура
0…+70°C
Температура хранения
-40…+85°C
Вибростойкость
20 G (7…2000 Гц)
Ударостойкость
1500 G (0.5 мс)
Надежность
Ресурс флэш-памяти
3000 циклов перезаписи
Срок хранения данных
10 лет (в начале ресурса) − 1 год (в конце ресурса)
Ресурс записи в TBW
21'816 / 16'246 TB (Sequential/Client)
Выносливость в DWPD
2.1 раз/сутки
MTBF
> 3 000 000 часов
Срок гарантии
3 года

Публикации о товаре DGEU2-08TDP1KCBEFP

Развитие технологии 3D NAND происходит очень быстро. Уже выпущено третье поколение этой технологии — 112-слойные чипы от известных производителей, таких как Samsung, Micron, Kioxia и Toshiba.

Отзывы о продукте

Отзывы не найдены