SSD накопитель 2TB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TG2-P (Kioxia TLC BiCS5), 0…+70°C, Объем: 2 TB, Резервирование питания: нет, Криптография: −, Рабочая температура: 0…+70°C, Чипы флэш-памяти: Kioxia BiCS5  – ТА
SSD накопитель 2TB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TG2-P (Kioxia TLC BiCS5), 0…+70°C
Цена по запросу

SSD накопитель 2TB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TG2-P (Kioxia TLC BiCS5), 0…+70°C

DGM28-02TDP1KCCEF
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), 2TB, серия 4TG2-P (Kioxia 3D TLC BiCS5 + DRAM buffer), M Key, 0…+70°С, с теплораспределителем
Спеццена
По запросу доступна специальная цена!
Наши преимущества
Как заказать и оплатить
Доставка
  • Все о товаре
  • Описание
  • Характеристики
  • Публикации
  • Отзывы
Описание
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), 2TB, серия 4TG2-P (Kioxia 3D TLC BiCS5 + DRAM buffer), M Key, 0…+70°С, с теплораспределителем

Характеристики SSD накопителя DGM28-02TDP1KCCEF

Бренд (изготовитель)
Тип
  • флэш-диск
Серия
Особенности
Применение
  • высоконагруженные приложения 5G и AIoT
Производительность
Буфер DRAM
есть
Последовательный доступ, R/W
6650 / 4700 MB/s
Средняя устоявшаяся скорость, R/W
2400 / 1250 MB/s
Случайный доступ, R/W
811'000 / 711'000 IOPS
SLC-кэш
61.44 GB (3%)
Каналов ввода-вывода
8
Питание
Напряжение питания
3.3 VDC ±5%
Потребляемая мощность
2.2 / 9.1 / 9.0 / 9.9 Вт (idle/чтение/запись/включение)
Резервирование питания
нет
Сервисные функции
Криптография
Конструктивное исполнение
Форм-фактор
Шина
  • PCIe 4.0 x4
Ключи M.2
  • M Key
Модификация
двухсторонний, с теплораспределителем
Габаритные размеры
22 × 80 × 4.4 мм
Общее
Интерфейс
  • NVMe 1.4
Объем
2 TB
Полезный объем
1'831'420 MB
Тип флэш-памяти
3D TLC BiCS5 (112L)
Чипы флэш-памяти
Kioxia BiCS5
Условия эксплуатации
Рабочая температура
0…+70°C
Температура хранения
-40…+85°C
Вибростойкость
20 G (7…2000 Гц)
Ударостойкость
1500 G (0.5 мс)
Надежность
Ресурс флэш-памяти
3000 циклов перезаписи
Срок хранения данных
10 лет (в начале ресурса) − 1 год (в конце ресурса)
Ресурс записи в TBW
5'454 / 4'574 TB (Sequential/Client)
Выносливость в DWPD
2.39 раз/сутки
MTBF
> 3 000 000 часов
Срок гарантии
3 года

Публикации о товаре DGM28-02TDP1KCCEF

Развитие технологии 3D NAND происходит очень быстро. Уже выпущено третье поколение этой технологии — 112-слойные чипы от известных производителей, таких как Samsung, Micron, Kioxia и Toshiba.

Отзывы о продукте

Отзывы не найдены