SSD накопитель 256GB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TG2-P (Kioxia TLC BiCS5), 0…+70°C, Объем: 256 GB, Резервирование питания: нет, Криптография: −, Рабочая температура: 0…+70°C, Чипы флэш-памяти: Kioxia BiCS5  – ТА
SSD накопитель 256GB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TG2-P (Kioxia TLC BiCS5), 0…+70°C
Цена по запросу

SSD накопитель 256GB, M.2 (P80) PCIe 4x4, серия 4TG2-P (Kioxia TLC BiCS5), 0…+70°C

DGM28-B56DP1KCCQF
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), 256GB, серия 4TG2-P (Kioxia 3D TLC BiCS5 + DRAM buffer), M Key, 0…+70°С, с теплораспределителем
Спеццена
По запросу доступна специальная цена!
Наши преимущества
Как заказать и оплатить
Доставка
  • Все о товаре
  • Описание
  • Характеристики
  • Публикации
  • Отзывы
Описание
Твердотельный накопитель M.2 (2280) PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4), 256GB, серия 4TG2-P (Kioxia 3D TLC BiCS5 + DRAM buffer), M Key, 0…+70°С, с теплораспределителем

Характеристики SSD накопителя DGM28-B56DP1KCCQF

Бренд (изготовитель)
Тип
  • флэш-диск
Серия
Особенности
Применение
  • высоконагруженные приложения 5G и AIoT
Производительность
Буфер DRAM
есть
Последовательный доступ, R/W
2750 / 1100 MB/s
Средняя устоявшаяся скорость, R/W
1350 / 220 MB/s
Случайный доступ, R/W
231'000 / 294'000 IOPS
SLC-кэш
7.68 GB (3%)
Каналов ввода-вывода
4
Питание
Напряжение питания
3.3 VDC ±5%
Потребляемая мощность
2.2 / 9.1 / 9.0 / 9.9 Вт (idle/чтение/запись/включение)
Резервирование питания
нет
Сервисные функции
Криптография
Конструктивное исполнение
Форм-фактор
Шина
  • PCIe 4.0 x4
Ключи M.2
  • M Key
Модификация
двухсторонний, с теплораспределителем
Габаритные размеры
22 × 80 × 4.4 мм
Общее
Интерфейс
  • NVMe 1.4
Объем
256 GB
Полезный объем
228'936 MB
Тип флэш-памяти
3D TLC BiCS5 (112L)
Чипы флэш-памяти
Kioxia BiCS5
Условия эксплуатации
Рабочая температура
0…+70°C
Температура хранения
-40…+85°C
Вибростойкость
20 G (7…2000 Гц)
Ударостойкость
1500 G (0.5 мс)
Надежность
Ресурс флэш-памяти
3000 циклов перезаписи
Срок хранения данных
10 лет (в начале ресурса) − 1 год (в конце ресурса)
Ресурс записи в TBW
681 / 361 TB (Sequential/Client)
Выносливость в DWPD
1.5 раз/сутки
MTBF
> 3 000 000 часов
Срок гарантии
3 года

Публикации о товаре DGM28-B56DP1KCCQF

Развитие технологии 3D NAND происходит очень быстро. Уже выпущено третье поколение этой технологии — 112-слойные чипы от известных производителей, таких как Samsung, Micron, Kioxia и Toshiba.

Отзывы о продукте

Отзывы не найдены