Фотоэлектрические датчики для обнаружения медной проволоки

Датчик фотоэлектрический диффуз. отражения 32×20×11 (пластик), диапазон 70…130 мм, срабатывание на свет/на затемнение, выход PNP 100 мА, питание 12…24 VDC, IP65, кабель 2 м
BJN50-NDT-P
Под заказ 10-12 недель
26401 Br
(С НДС)
+ −
Датчик фотоэлектрический диффуз. отражения 32×20×11 (пластик), диапазон 30…70 мм, срабатывание на свет/на затемнение, выход NPN 100 мА, питание 12…24 VDC, IP65, кабель 2 м
BJN50-NDT
Под заказ 10-12 недель
26401 Br
(С НДС)
+ −
Датчик фотоэлектрический диффуз. отражения 32×20×11 (пластик), диапазон 30…70 мм, срабатывание на свет/на затемнение, выход NPN 100 мА, питание 12…24 VDC, IP65, кабель 2 м
BJN100-NDT
Под заказ 10-12 недель
26401 Br
(С НДС)
+ −
Датчик фотоэлектрический диффуз. отражения 32×20×11 (пластик), диапазон 70…130 мм, срабатывание на свет/на затемнение, выход NPN 100 мА, питание 12…24 VDC, IP65, кабель 2 м